日前三星開始量產用於旗艦手機的512GB 嵌入式快閃儲存(embedded Universal Flash Storage, eUFS)3.1，提高比前一代512GB eUFS 3.0快三倍的寫入速度，突破現階段1GB/s網速的智慧型手機之性能限制。
512GB eUFS 3.1的寫入速度達1,200MB/s，相當於個人電腦SATA硬碟(540MB/s)兩倍、HS-I microSD記憶卡(90MB/s)的10倍，代表使用者在手機上讀取巨大的檔案，如8K影片或數百張大尺寸的照片時不需要緩衝，速度接近筆記型電腦。從舊手機轉移檔案也能節省大量時間，例如100GB的資料在UFS 3.0的手機中需要耗時4分鐘，但eUFS 3.1只要1.5分鐘即可完成資料傳輸。
新款旗艦機除了推出512GB的容量，也有256GB及128GB的規格。三星本月已開始在中國西安啟動量產第五代V-NAND的新產線，已滿足市場上對於旗艦機與高階智慧型手機的記憶體需求。另一方面，三星也計畫將南韓平澤廠的產線從第五代V-NAND轉為量產第六代V-NAND晶片。
